同步整流技術(shù)采用通態(tài)電阻極低的電力MOSFET來取代整流二極管,能大大降低整流電路的損耗,提高DC/DC變換器的效率,滿足低壓、大電流整流器的需要。本文從分析《電力電子技術(shù)》教材中同步整流電路的原理圖著手,介紹了電力MOSFET的反向電阻工作區(qū)及同步整流技術(shù)的基本原理,并對同步整流電路中的驅(qū)動電路和柵極電壓波形進行了分析。

同步整流的基本電路結(jié)構(gòu)：

功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。PS7516和PS7616是鋰電池升壓輸出5V1A,2A的同步整流升壓經(jīng)典IC，F(xiàn)P6717，F(xiàn)P6716也是鋰電池升壓輸出5V3A，5V2A中的佼佼者。

為什么要應(yīng)用同步整流技術(shù)：

電子技術(shù)的發(fā)展，使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗，但也給電源設(shè)計提出了新的難題。

開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成：功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降，這就導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。